核心要点Rowhammer（行锤） 仍是 DRAM 的主要安全威胁，Rowpress（行压） 正成为新的相关威胁。内存控制器发出的新型刷新指令可缓解问题，但并非完美解决方案。更小的垂直结构 DRAM 单元有望从根本上消除问题，但距离量产仍需数年。Rowhammer 已经困扰了数代 DRAM 产品，并且随着制程进步愈发严重。与之相关的新型漏洞 Rowpress 也随之出现。新的刷新指令可以减轻不良影响，但要彻底根除问题，可能只能依靠新一代 DRAM 存储单元结构。新思科技（Synopsys）应用工程执行董事
如今的内存市场，简直像维多利亚时代那位被焦虑裹挟的贵妇一样歇斯底里。最典型的例子就是通用 DRAM 领域：现货价格小幅回调，就引发了 “行业末日” 的唱衰论调，甚至连带股价大跌。但三星这类真正的行业巨头却始终淡定，并且铁了心按计划持续提价。三星 2026 年一季度 DRAM 价格翻倍后，二季度内存产品再平均涨价 30%据韩国《ETNews》报道，三星已对其 DRAM 产品执行 ** 季度环比约 30%的提价供货。关键在于，此次涨价是在2026 年一季度 DRAM 均价同比大涨 100%** 的基础上继续上
TrendForce最新存储器产业研究指出，大厂逐步退出成熟DDR4以下产品制造的策略不变，在市场供给结构持续收敛下，过去几个月，整体价格已累积惊人涨幅。 由于目前市场供需仍未平衡，市场普遍看好，内存报价涨势，至少将延伸到今年下半年。TrendForce考量供给持续缩减，以及订单转移，但台厂产能扩张不及等因素，预估2026年第二季consumer DRAM合约价格，仍将持续季增45~50%。内存业者则更乐观的预期，今年全年价格都将维持向上趋势。TrendForce表示，2026年3月consumer DR
SK 海力士宣布，已成功开发基于第六代 10 奈米级（1c）制程技术的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，该产品已完成全球首度 1c LPDDR6 验证，预计今年上半年完成量产准备，并于下半年开始供货。LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一种主要应用于智能手机与平板等行动装置的低功耗 DRAM 标准，通过低电压运作降低能源消耗。SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要锁定 On-device AI 应用，例如智能手机、平板电脑等终端设备。与
应用材料公司今日宣布，正与美光科技展开合作，研发新一代动态随机存取存储器、高带宽内存及闪存解决方案，以提升人工智能系统的高能效表现。双方整合了应用材料位于硅谷的 EPIC 创新中心的先进研发能力，以及美光位于爱达荷州博伊西的顶尖创新中心资源，助力巩固美国半导体领域的创新研发体系。应用材料总裁兼首席执行官加里・迪克森表示：“应用材料与美光长期保持合作关系，始终致力于通过突破材料工程与制造创新的边界，打造性能更优、能效更高的先进存储芯片。下一代存储技术在人工智能系统的未来发展中愈发关键，我们十分欣喜能以 EP
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